В Воронеже построят завод по производству GaN-транзисторов

В столице региона появится уникальное для России предприятие полного цикла по выпуску силовых транзисторов на основе нитрида галлия.

Об этом сообщает деловое издание “Коммерсантъ”, ссылаясь на заявление группы компаний “Элемент”, которая планирует вложить в реализацию проекта порядка 4,4 миллиарда рублей.

Производство будет развернуто на площадке Научно-исследовательского института электронной техники (НИИЭТ), который входит в структуру ГК “Элемент” и уже имеет серьезный задел в сфере сборки электронных компонентов. Благодаря масштабным инвестициям планируется не просто модернизация текущих мощностей, а создание принципиально нового направления организации полного производственного цикла от выращивания кристаллов до выпуска готовых GaN-транзисторов.

Запуск кристального участка производства, ориентированного на использование 200-миллиметровых кремниевых подложек, позволит выпускать до 5,5 тысячи пластин в год. Это существенно повысит отечественные компетенции в высокотехнологичном секторе микроэлектроники, критически важной для энергетики, телекоммуникаций, обороны и других отраслей.

Проект получит поддержку со стороны государства: финансирование будет частично осуществляться на льготных условиях в рамках кластерной инвестиционной платформы (КИП) оператором которой выступает Фонд развития промышленности. Эта мера направлена на стимулирование масштабных технологических инициатив и укрепление технологического суверенитета России.